应我院邀请,复旦大学刘文军研究员于12月15日下午14点在物理北楼C-208举行题为《新型氧化镓功率二极管研究进展》的专题学术讲座。学院负责人、师生代表50余人参加讲座。讲座由副院长王芳主持。
刘文军研究员首先结合自己团队成果介绍了构建NiO/β-Ga2O3 p-n 异质结二极管方法;其次讲解了制备了p-NiO/n-Ga2O3 沟槽型MOS 异质结二极管过程;最后总结了氧化镓研究中存在的问题并予以未来展望。
讲座结束后,青年教师和研究生就讲座内容及该研究方向热点问题向刘文军研究员进行了提问。刘文军研究员对所提问题均做了详细解答,并鼓励青年教师和研究生在本领域进行深入研究。
(文 徐世周)
刘文军,复旦大学微电子学院研究员,博士生导师,主要从事宽禁带氧化镓功率器件、工艺及CMOS后端工艺兼容存储器件及可靠性等研究。2009至2015年先后在新加坡南洋理工大学和日本东京大学(JSPS研究员)从事半导体器件与工艺、失效分析等工作。获科技部重点研发、自然科学基金面上、上海市集成电路专项、第四代半导体科技创新专项等省部级项目多项。共发表论文100余篇,其中IEEE IEDM/IRPS 6篇,EDL/TED 30篇,引用>2700次,申请专利20余项。目前,担任Nano Lett等期刊审稿,并任国际期刊Nanoscale Research Letters、Nanomaterials客座编辑;编写专著《薄膜晶体管微电子学》;获上海市“浦江人才”计划,复旦大学“钟杨式”创新团队骨干成员。